型號：VGT-15204FST

產(chǎn)品特點(diǎn)

1、械手或多機(jī)械手組合，實(shí)現(xiàn)工位工藝要求。

2、PLC全程序控制與觸摸屏操作界面，操作便利。

3、自動(dòng)上下料臺，準(zhǔn)確上卸工件。

4、凈化烘干槽，獨(dú)特的烘干前處理技術(shù)，工作干燥無水漬。

5、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

6、具備拋動(dòng)清洗功能，*證清洗均勻。

7、全封閉清洗均勻。

8、全封閉外殼與抽風(fēng)系統(tǒng)，確保良好工作環(huán)境。

應(yīng)用范圍：

多晶硅超聲波清洗加工設(shè)備，可廣泛用于IC生產(chǎn)及半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)中晶片的濕法化學(xué)工藝。該設(shè)備可有效去除晶片表面的有機(jī)物、顆粒、金屬雜質(zhì)、自然氧化層及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破壞晶片表面特性。

爐前（RCA）清洗：擴(kuò)散前清洗

光刻后清洗：除去光刻膠。

氧化前自動(dòng)清洗：氧化前去掉硅片表面所胡的沾污物。

拋光后自動(dòng)清洗：除去切、磨、拋的沾污。

外延前清洗：除去埋層擴(kuò)散后的SiO2及表面污物。

合金前、表面鈍化前清洗：除去鋁布線后，表面雜質(zhì)及光膠殘?jiān)?/span>

離子注入后的清洗：除去光刻膠，SiO2層。

擴(kuò)散預(yù)淀積后清洗：除去預(yù)淀積時(shí)的BSG和PSG。

CVD后清洗：除去CVD過程中的顆粒。

附件及工具的清洗：除去表面所有的沾污物。

技術(shù)參數(shù):

超聲波功率：10.2KW

超聲波頻率：40K/80KHZ

換能器數(shù)量：204個(gè)

電源電壓：三相五線380V

技術(shù)優(yōu)勢:

因清洗多晶硅需放置于清洗籃/網(wǎng)袋中，網(wǎng)袋會吸能及阻擋部分超聲波，本機(jī)采用中高頻超聲波清洗機(jī)。中頻超聲能迅速徹底的將污漬震出，高頻超聲能深入縫隙清洗，本機(jī)具備中頻超聲波轟擊強(qiáng)度大，清洗速度快的特點(diǎn)，具備高頻超聲穿透性好，密度高的特點(diǎn)，便于穿透網(wǎng)袋作用到產(chǎn)品上，同時(shí)增加了加熱功能，產(chǎn)品在熱水中清洗更容易將污漬化開而去除，清洗完成后只需將放水閥打開放出污水即可。